金属-半导体-金属光探测器

来自实验帮百科
跳转至: 导航搜索

金属-半导体-金属光探测器

缩写:MSM光探测器

定义:基于金属-半导体接触(肖特基接触)的快速光探测器件。

金属-半导体-金属光探测器(MSM光探测器)是一种光探测器,包含两个肖特基接触,即半导体材料上具有两个金属电极,类似于光电二极管中的p-n结。在工作时,电极上施加一定的电压。当光入射到电极间的半导体材料上时,会产生载流子(电子和空穴),在电场的作用下形成光电流。

MSM光探测器的响应可以比光电二极管更快。其探测带宽可达几百GHz,因此适用于高速光纤通信中。


参考文献

[1] W. C. Koscielniak et al., “Dynamic behavior of photocarriers in a GaAs metal–semiconductor–metal photodetector with sub-half-micron electrode pattern”, Appl. Phys. Lett. 54 (6), 567 (1989)

[2] J. B. D. Soole and H. Schumacher, “InGaAs metal–semiconductor–metal photodetectors for long wavelength optical communications”, IEEE J. Quantum Electron. 27 (3), 737 (1991)

[3] C. Moglestue et al., “Picosecond pulse response characteristics of GaAs metal–semiconductor–metal photodetectors”, J. Appl. Phys. 70 (4), 2435 (1991)

[4] S. Y. Chou et al., “Ultrafast nanoscale metal–semiconductor–metal photodetectors on bulk and low-temperature grown GaAs”, Appl. Phys. Lett. 61 (7), 819 (1992)

[5] J.-W. Shi et al., “Metal–semiconductor–metal traveling-wave photodetectors”, IEEE Photon. Technol. Lett. 13 (6), 623 (2001)


参阅:光电探测器光电二极管带宽